Histórico de memória do computador

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Histórico do disco rígido do computador
Ano Evento
1837 Charles Babbage propôs o Analytical Engine, que foi o primeiro computador a usar cartões perfurados como memória e uma maneira de programar o computador.
1932 Gustav Tauschek desenvolveu a memória do tambor em 1932.
1942 John Atanasoff testa com sucesso o ABC (Atanasoff-Berry Computer), que foi o primeiro computador a usar memória de bateria de capacitor regenerativo.
1946 Freddie Williams solicita uma patente em seu dispositivo de armazenamento CRT (tubo de raios catódicos) em 11 de dezembro de 1946. O dispositivo que mais tarde ficou conhecido como tubo Williams ou, mais apropriadamente, tubo Williams-Kilburn. O tubo armazenava apenas 128 palavras de 40 bits e era a primeira forma prática de memória de acesso aleatório.
1946 Jan Rajchman começou seu trabalho no desenvolvimento do tubo Selectron, capaz de armazenar 256 bits. Devido à popularidade da memória do núcleo magnético da época, o tubo Selectron nunca foi colocado em produção em massa.
1947 O sistema de memória Freddie Williams, conhecido como tubo Williams-Kilburn, estava em perfeito funcionamento em 1947.
1947 Frederick Viehe registra uma série de algumas das primeiras patentes relacionadas à memória do núcleo magnético. Outros que ajudaram no desenvolvimento da memória do núcleo magnético e da memória do tambor magnético incluem An Wang, Ken Olsen e Jay Forrester.
1949 Jay Forrester e outros pesquisadores tiveram a idéia de usar a memória do núcleo magnético no computador Whirlwind em 1949.
1950 O governo dos Estados Unidos recebeu o UNIVAC 1101 ou ERA 1101. Este computador foi considerado o primeiro computador capaz de armazenar e executar um programa a partir da memória.
1951 Jay Forrester solicita uma patente para memória de núcleo magnético, um tipo antigo de memória de acesso aleatório (RAM) em 11 de maio de 1951.
1952 Em sua tese de mestrado, Dudley Allen Buck descreve a RAM ferroelétrica (FeRAM) que não foi desenvolvida até a década de 1980 e o início da década de 90.
1953 Em julho de 1953, uma expansão de memória principal foi adicionada ao ENIAC.
1955 O Konrad Zuse completa o Z22, o sétimo modelo de computador e o primeiro computador que usou memória de armazenamento magnético.
1955 O MIT lançou a máquina Whirlwind em 8 de março de 1955, um computador revolucionário que foi o primeiro computador digital com RAM de núcleo magnético.
1955 Foi emitida uma patente norte-americana nº 2.708.722 em 17 de maio de 1955, para a invenção do "Dispositivo de controle de transferência de pulso" magnético, que tornou realidade a memória do núcleo magnético.
1955 A Bell Labs lançou seu primeiro computador transistorizado. Os transistores são mais rápidos, menores e criam menos calor do que as banheiras a vácuo tradicionais, tornando esses computadores mais confiáveis ​​e eficientes.
1964 John Schmidt projetou uma RAM estática de canal p MOS de 64 bits enquanto estava na Fairchild em 1964.
1964 Kenneth Olsen recebeu a patente US 3.161.861 em 15 de dezembro de 1964, para memória de núcleo magnético.
1968 Em 4 de junho de 1968, o Dr. Robert Dennard, no centro de pesquisa IBM TJ Watson, recebeu a patente norte-americana nº 3.387.286 que descreve uma célula DRAM de um transistor. Mais tarde, a DRAM substituirá a memória do núcleo magnético nos computadores.
1969 Charles Sie publica uma dissertação na Universidade Estadual de Iowa, onde descreveu e demonstrou a memória de mudança de fase (PRAM). Embora o PRAM ainda nunca tenha sido comercialmente prático, ele ainda estava sendo desenvolvido em empresas como a Samsung.
1969 A Intel lançou seu primeiro produto, a SRAM (3101 Schottky TTL bipolar). No mesmo ano, a Intel lançou a ROM (somente leitura) bipolar 3301 Schottky de 1024 bits.
1970 A Intel lançou sua primeira DRAM disponível comercialmente, a Intel 1103, em outubro de 1970. Capaz de armazenar 1024 bits ou 1 kb de memória.
1971 Enquanto estava na Intel, Dov Frohman inventou e patenteou (# 3.660.819) a EPROM em 1971.
1974 Enquanto estava na Intel, Federico Faggin recebeu a patente nº 3.821.715 em 28 de junho de 1974, que descreve um sistema de memória para um computador digital multichip.
1978 George Perlegos, com a Intel, desenvolveu o Intel 2816, o primeiro EEPROM em 1978.
1983 Os Laboratórios Wang criaram o SIMM (Single Inline Memory Module) em 1983.
1984 Fujio Masuoka inventou a memória flash em 1984.
1993 A Samsung introduziu a DRAM síncrona (SDRAM) KM48SL2000 e rapidamente se tornou um padrão do setor em 1993.
1996 A DDR SDRAM começou a ser vendida em 1996.
1999 A RDRAM ficou disponível para computadores em 1999.
2003 A DDR2 SDRAM começou a ser vendida em 2003.
2003 A DRAM XDR começou a ser vendida em 2003.
2007 A SDRAM DDR3 começou a ser vendida em junho de 2007.
2014 A SDRAM DDR4 começou a ser vendida em setembro de 2014.

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